IPP100N12S305AKSA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP100N12S305AKSA1 بذریعہ Infineon اور IPT015N10NF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPP100N12S305AKSA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPP100N12S305AKSA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS trench | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| پلسڈ ڈرین کرنٹ | [DATA_NEEDED: pulsed ID value] | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc | 300 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | TO-220 (PG-TO220-3-1) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 | — |
| MSL Moisture Sensitivity Level | 1 (260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% tested | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green product) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| سنگل پلس ایوالانچ انرجی | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |