AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK00 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng AS4C256M16D3L-12BCN sa pamamagitan ng Alliance Memory at K4B4G1646D-BCK00 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ NakahandaSamsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Brand | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Width ng Data Bus | 16 bit | — |
| Maksimum na Taktiko ng Oras | 800 MHz | — |
| Rate ng Data | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin |
| Latensya ng CAS | 20 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Packhaging | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Style ng Pagpapasok | SMD/SMT | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Uri ng Interface | Parallel | — |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |