AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK00 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار AS4C256M16D3L-12BCN توسط Alliance Memory و K4B4G1646D-BCK00 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| برند | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| عرض گذرگاه داده | 16 bit | — |
| حداکثر فرکانس کلاک | 800 MHz | — |
| نرخ داده | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin |
| تأخیر CAS | 20 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| سبک نصب | SMD/SMT | — |
| محدوده دمای کاری | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| نوع رابط | Parallel | — |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| دمای کاری | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |