AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK00 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AS4C256M16D3L-12BCN بذریعہ Alliance Memory اور K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| برانڈ | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bit | — |
| زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی | 800 MHz | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin |
| CAS لیٹنسی | 20 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| پیکیج | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| ماؤنٹنگ اسٹائل | SMD/SMT | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| انٹرفیس ٹائپ | Parallel | — |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |