AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK00 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של AS4C256M16D3L-12BCN מאת Alliance Memory ו K4B4G1646D-BCK00 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| מותג | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bit | — |
| תדר שעון מקסימלי | 800 MHz | — |
| קצב נתונים | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin |
| השהיית CAS | 20 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| מארז | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| סגנון הרכבה | SMD/SMT | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| סוג ממשק | Parallel | — |
| מספר פינים | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |