AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK00 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C256M16D3L-12BCN بواسطة Alliance Memory و K4B4G1646D-BCK00 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| عرض ناقل البيانات | 16 bit | — |
| أقصى تردد للساعة | 800 MHz | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin |
| زمن الوصول CAS | 20 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| العلبة | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| نمط التركيب | SMD/SMT | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| نوع الواجهة | Parallel | — |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |