AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng AS4C256M16D3L-12BCN sa pamamagitan ng Alliance Memory at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Width ng Data Bus | 16 bit | — |
| Maksimum na Taktiko ng Oras | 800 MHz | — |
| Rate ng Data | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Latensya ng CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Packhaging | 96-FBGA (9x13 mm) | FBGA-96 |
| Style ng Pagpapasok | SMD/SMT | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Uri ng Interface | Parallel | — |
| Bilang ng Pins | 96 | 96 |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |