AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646E-BYMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C256M16D3L-12BCN بواسطة Alliance Memory و K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.32 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| عرض ناقل البيانات | 16 bit | — |
| أقصى تردد للساعة | 800 MHz | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| زمن الوصول CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| العلبة | 96-FBGA (9x13 mm) | FBGA-96 |
| نمط التركيب | SMD/SMT | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| نوع الواجهة | Parallel | — |
| عدد الدبابيس | 96 | 96 |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |