AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646E-BYMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של AS4C256M16D3L-12BCN מאת Alliance Memory ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| מותג | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $14.32 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bit | — |
| תדר שעון מקסימלי | 800 MHz | — |
| קצב נתונים | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| השהיית CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| מארז | 96-FBGA (9x13 mm) | FBGA-96 |
| סגנון הרכבה | SMD/SMT | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| סוג ממשק | Parallel | — |
| מספר פינים | 96 | 96 |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |