AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma AS4C256M16D3L-12BCN tarafından Alliance Memory ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marka | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $14,32 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gbit | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Bus Genişliği | 16 bit | — |
| Azami Saat Hızı | 800 MHz | — |
| Veri Hızı | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| CAS Gecikme | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Paket | 96-FBGA (9x13 mm) | FBGA-96 |
| Montaj Stili | SMD/SMT | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Arayüz Türü | Parallel | — |
| Pin Sayısı | 96 | 96 |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |