YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WC-BCWE Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng YZ48G16V-F9HPI-M sa pamamagitan ng Loongtion at K4A8G165WC-BCWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| Brand | Loongtion | Samsung Electronics |
| Kategorya | DRAM | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $38.00 |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Rate ng Data | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Packhaging | FBGA96 | 96-FBGA |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 | Differential (CK, /CK) |
| Bilang ng Pin | 96 | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Width ng Data Bus | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |