YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WC-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של YZ48G16V-F9HPI-M מאת Loongtion ו K4A8G165WC-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | Loongtion | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $38.00 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| קצב נתונים | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| מארז | FBGA96 | 96-FBGA |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| ממשק | DDR4 | Differential (CK, /CK) |
| מספר פינים | 96 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |