YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WC-BCWE Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma YZ48G16V-F9HPI-M tarafından Loongtion ve K4A8G165WC-BCWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Loongtion
YZ48G16V-F9HPI-M YZ48G16V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA96 | Loongtion

YZ48G16V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA96 | Loongtion

YZ48G16V-F9HPI-M ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre YZ48G16V-F9HPI-M K4A8G165WC-BCWE
Marka Loongtion Samsung Electronics
Kategori DRAM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $38,00
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organizasyon 512M x 16 512M x 16
Veri Hızı 3200 MT/s 3200 Mbps
Paket FBGA96 96-FBGA
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40°C to +85°C 0°C to +95°C
Besleme Gerilimi 1.2 V —
Arayüz DDR4 Differential (CK, /CK)
Pin Sayısı 96 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Industrial Grade Yes —
Compatible with Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B —
Veri Bus Genişliği 16 bits —
Refresh Auto-refresh —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
VPP Voltage — 2.5 V
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8 (BL8) / 4 (BC4)
Number of Banks — 16
Row Address Bits — 16
Column Address Bits — 10
JEDEC Standard — JEDEC DDR4

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin