1ED020I12B2XUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED020I12B2XUMA1 tarafından Infineon ve 1EDI60H12AHXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1ED020I12B2XUMA1 1EDI60H12AHXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Galvanic isolation via coreless transformer
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms —
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns —
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
Paket PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage)
Creepage Distance 8 mm 8 mm
İşletim Sıcaklığı -40 °C to +125 °C -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet]
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) 2 (1 year floor life)
Compliance RoHS compliant —
Product Type — Single-channel high-side gate driver IC
Isolation Voltage Rating — 1200 V
Peak Source Current (typ.) — 10.0 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.4 A
Çıkış Konfigürasyonu — Separate source and sink (SEP) outputs
Input Compatibility — CMOS / TTL logic
Driven Device — IGBT (and MOSFET / SiC compatible)
Short-Circuit Protection — Short-circuit clamping
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin