1ED3122MC12HXUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED3122MC12HXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDI60H12AHXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1ED3122MC12HXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) Single-channel high-side gate driver IC
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Galvanic isolation via coreless transformer
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 1
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet]
Paket PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 2 2 (1 year floor life)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Isolation Voltage Rating — 1200 V
Peak Source Current (typ.) — 10.0 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.4 A
Çıkış Konfigürasyonu — Separate source and sink (SEP) outputs
Input Compatibility — CMOS / TTL logic
Driven Device — IGBT (and MOSFET / SiC compatible)
Creepage Distance — 8 mm
Short-Circuit Protection — Short-circuit clamping

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin