1ED3122MC12HXUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1ED3122MC12HXUMA1 بذریعہ Infineon اور 1EDI60H12AHXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1ED3122MC12HXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) Single-channel high-side gate driver IC
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Galvanic isolation via coreless transformer
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 1
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40 C to +125 C -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet]
پیکیج PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 2 2 (1 year floor life)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Isolation Voltage Rating — 1200 V
Peak Source Current (typ.) — 10.0 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.4 A
آؤٹ پٹ کنفیگریشن — Separate source and sink (SEP) outputs
Input Compatibility — CMOS / TTL logic
Driven Device — IGBT (and MOSFET / SiC compatible)
Creepage Distance — 8 mm
Short-Circuit Protection — Short-circuit clamping

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں