2ED21834S06JXUMA1 vs 1EDI20N12AFXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED21834S06JXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDI20N12AFXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED21834S06JXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Paket PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body)
Pin Sayısı 14 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
RoHS Durumu Compliant —
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Single high-side, isolated
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer), reinforced
Number of Channels — 1
Maximum Supply Voltage (Output Side) — 17 V
Minimum Supply Voltage (Output Side) — 3.1 V
Peak Source Current — 4.0 A (typical)
Peak Sink Current — 3.5 A (typical)
Working Voltage (Isolation) — 1200 V (high-side rail reference)
Propagation Delay — 120 ns (typical)
Çıkış Konfigürasyonu — Separate source and sink pins
Short-Circuit Clamping — Yes (built-in)
MSL Seviyesi — 2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin