2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL900G3XTMA1 tarafından Infineon ve 2EDL6014ACG2DXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDL900G3XTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V Isolated (level-shifted floating high-side)
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) —
Paket TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C —
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Çıkış Konfigürasyonu — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin