2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2EDL900G3XTMA1 بذریعہ Infineon اور 2EDL6014ACG2DXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2EDL900G3XTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V Isolated (level-shifted floating high-side)
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) —
پیکیج TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 C to +125 C —
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
آؤٹ پٹ کنفیگریشن — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں