BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC100N10NSFGATMA1 tarafından Infineon ve BSC265N10LSFGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC100N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS OptiMOS 2
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (TrenchFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin