BSL606SNH6327XTSA1 vs BTS3118NHUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSL606SNH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BTS3118NHUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSL606SNH6327XTSA1 BTS3118NHUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Technology OptiMOS3 trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (Tj) —
Paket PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT223-4
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS Durumu Compliant (Pb-free plating) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Switch Type — Low-Side Power Switch
Çıkış Konfigürasyonu — 1:1
Çıkış Sayısı — 1
Continuous Drain Current — 2.17 A
Operating Voltage (Vbb) — 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C]
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible)
Input Protection — ESD protected
Thermal Protection — Thermal shutdown with latch
Fault Protection — Overload, short-circuit, overvoltage, current limit
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +150 C junction
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant
Process Technology — Smart SIPMOS (vertical N-channel)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin