BSP135H6327XTSA1 vs BSP129H6906XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP135H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP129H6906XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP135H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP135H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) Normally-On (Depletion)
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, typical) [DATA_NEEDED: TJ max]
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (unlimited floor life)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 Ohm (max)
Gate-Source Pinch-Off Voltage — [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value]
Pin Sayısı — 3 functional + 1 tab (4 leads)
ESD Protection — Integrated Zener diodes on gate

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin