BSP135H6327XTSA1 vs BSP129H6906XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP135H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP129H6906XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP135H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP135H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) Normally-On (Depletion)
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction, typical) [DATA_NEEDED: TJ max]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 1 (unlimited floor life)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 Ohm (max)
Gate-Source Pinch-Off Voltage — [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value]
پنز کی تعداد — 3 functional + 1 tab (4 leads)
ESD Protection — Integrated Zener diodes on gate

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں