BSS123IXTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS123IXTSA1 tarafından Infineon ve BSS127H6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS123IXTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS Small-Signal —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 4.5 V (logic level, rated)
Paket PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel —
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +150 C
Pin Sayısı — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS Durumu — Compliant (lead-free)
Klorürsüz — Yes, per IEC 61249-2-21

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin