BSS126H6327XTSA2 vs BSS806NEH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS126H6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSS806NEH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS126H6327XTSA2 BSS806NEH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Paket SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, typical) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Pin Sayısı 3 3 (Gate, Drain, Source)
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS806NEH6327XTSA1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Mode of Operation — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 20 V (maximum)
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-Resistance RDS(on) — 57 mOhm (maximum)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Yes (compliant)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin