BSS126H6327XTSA2 vs BSS806NEH6327XTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS126H6327XTSA2 מאת Infineon ו BSS806NEH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSS126H6327XTSA2 BSS806NEH6327XTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
מארז SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction, typical) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מספר פינים 3 3 (Gate, Drain, Source)
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS806NEH6327XTSA1
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Mode of Operation — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 20 V (maximum)
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-Resistance RDS(on) — 57 mOhm (maximum)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Yes (compliant)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר