BSS126H6327XTSA2 vs BSS806NEH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS126H6327XTSA2 توسط Infineon و BSS806NEH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS126H6327XTSA2 BSS806NEH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
بسته‌بندی SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction, typical) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
تعداد پایه 3 3 (Gate, Drain, Source)
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS806NEH6327XTSA1
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Mode of Operation — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 20 V (maximum)
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-Resistance RDS(on) — 57 mOhm (maximum)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Yes (compliant)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت