BSS126H6327XTSA2 vs BSS806NEH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS126H6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور BSS806NEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS126H6327XTSA2 BSS806NEH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
پیکیج SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction, typical) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پن کی تعداد 3 3 (Gate, Drain, Source)
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS806NEH6327XTSA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Mode of Operation — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 20 V (maximum)
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-Resistance RDS(on) — 57 mOhm (maximum)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Yes (compliant)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں