EP3SE110F780C4LN vs EP3SE50F780C4N Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP3SE110F780C4LN tarafından Intel ve EP3SE50F780C4N tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre EP3SE110F780C4LN EP3SE50F780C4N
Marka Intel Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif NRND
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements (LE) 107,500 47,500
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory 8,936,448 bits —
User I/O Pins 488 —
Paket 780-BBGA, FCBGA (Fine-pitch) 780-Ball FBGA, 29 mm x 29 mm, 1.0 mm pitch
Supply Voltage Core 0.9 V (typical) —
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C (Commercial) 0C to +85C (C4 commercial grade)
Speed Grade C4 —
Lead-Free / RoHS Yes (N suffix) —
Montaj Türü Surface Mount (SMT) Surface Mount (BGA)
Process Technology 40 nm TSMC —
DSP Blocks Yes (18x18 multipliers) —
MSL Seviyesi 3 (per JEDEC J-STD-020) 3 (per JEDEC J-STD-020, FBGA package)
Tray Packaging Yes (per distributor listings) —
Embedded Memory Bits — 5,760,000
Embedded Memory (M9K/M144K blocks) — 488 (per family datasheet)
Number of LABs — 1900
Maximum User I/Os — 488
DSP Blocks (18x18 multipliers) — 432
PLLs — 12 (per family datasheet)
Maximum Operating Frequency — 717 MHz
Transceiver Channels — Up to 12 (per family, model-dependent)
Transceiver Data Rate — Up to 6.375 Gbps (per Stratix III E family)
Process Node — 40 nm
Besleme Gerilimi — Core 0.9 V, I/O 1.2 V-3.3 V (multi-rail)
Configuration Modes — JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel
RoHS Durumu — Lead-free / RoHS compliant
Hard Memory Controller — DDR2/DDR3 SDRAM (per Stratix III E family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin