EP3SE110F780C4LN vs EP3SE50F780C4N השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE110F780C4LN מאת Intel ו EP3SE50F780C4N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP3SE110F780C4LN EP3SE50F780C4N
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים פעיל NRND
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements (LE) 107,500 47,500
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory 8,936,448 bits —
User I/O Pins 488 —
מארז 780-BBGA, FCBGA (Fine-pitch) 780-Ball FBGA, 29 mm x 29 mm, 1.0 mm pitch
Supply Voltage Core 0.9 V (typical) —
טמפרטורת פעולה 0C to +85C (Commercial) 0C to +85C (C4 commercial grade)
Speed Grade C4 —
Lead-Free / RoHS Yes (N suffix) —
סוג הרכבה Surface Mount (SMT) Surface Mount (BGA)
Process Technology 40 nm TSMC —
DSP Blocks Yes (18x18 multipliers) —
רמת MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) 3 (per JEDEC J-STD-020, FBGA package)
Tray Packaging Yes (per distributor listings) —
Embedded Memory Bits — 5,760,000
Embedded Memory (M9K/M144K blocks) — 488 (per family datasheet)
Number of LABs — 1900
Maximum User I/Os — 488
DSP Blocks (18x18 multipliers) — 432
PLLs — 12 (per family datasheet)
Maximum Operating Frequency — 717 MHz
Transceiver Channels — Up to 12 (per family, model-dependent)
Transceiver Data Rate — Up to 6.375 Gbps (per Stratix III E family)
Process Node — 40 nm
מתח אספקה — Core 0.9 V, I/O 1.2 V-3.3 V (multi-rail)
Configuration Modes — JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel
סטטוס RoHS — Lead-free / RoHS compliant
Hard Memory Controller — DDR2/DDR3 SDRAM (per Stratix III E family)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר