IAUC100N10S5L054ATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N10S5L054ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S5L110TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC100N10S5L054ATMA1 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 (IAUC automotive family) | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: max V_GS value] | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 101 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 130 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 5.4 mΩ | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (surface mount) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (260°C peak reflow) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Extended Qualification |