IAUC100N10S5L054ATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC100N10S5L054ATMA1 توسط Infineon و IAUCN10S5L110TATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUC100N10S5L054ATMA1 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 (IAUC automotive family) | OptiMOS 5 |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: max V_GS value] | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 101 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 130 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 5.4 mΩ | — |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +175°C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-34 (surface mount) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (260°C peak reflow) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Extended Qualification |