IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7L005ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N019GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 430 A (Tj) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] —
On-Resistance R_DS(on) max 0.52 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 179 W (T_C) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Paket PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per family datasheet)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin