IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7L005ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N019GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN04S7L005ATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 430 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) | [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] | — |
| On-Resistance R_DS(on) max | 0.52 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D) | 179 W (T_C) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C (Tj) | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| מארז | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |