IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7L005ATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N019GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 430 A (Tj) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] —
On-Resistance R_DS(on) max 0.52 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 179 W (T_C) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C (Tj) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
بسته‌بندی PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per family datasheet)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت