IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7L006ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N009ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7L006ATMA1 | IAUCN04S7N009ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | 175 A |
| R_DS(on) Max | 0.6 mΩ at V_GS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-43 | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS-7 trench | MOSFET (Metal Oxide) |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| Packaging | Tape and Reel (ATMA1) | — |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | — | 0.96 mΩ |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | — | 10 V |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Supplier Device Package | — | PG-TDSON-8-34 |