IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N009ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L006ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7N009ATMA1 | IAUCN04S7L006ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS-7 trench |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | 175 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-43 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| R_DS(on) Max | — | 0.6 mΩ at V_GS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Packaging | — | Tape and Reel (ATMA1) |
| Polarity | — | Single N-Channel |