IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N009ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L006ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS-7 trench
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-43
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
پن کی تعداد — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں