IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUTN12S5N017ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S5L280DATMA1 tarafından Infineon ve IAUTN12S5N017ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S5L280DATMA1 IAUTN12S5N017ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Paket PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-HSOF-8-1 (HSOF-8, surface mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (junction)
Pin Sayısı 8 —
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020, by package)
RoHS Durumu Compliant Compliant (per distributor listings)
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 120 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 314 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 1.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 2.5 V typical (range per datasheet)
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — per datasheet curve (typ. ~150 nC class)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Mounting Position — Kelvin source pin (pin 2) for high-frequency layouts
Qualification — Automotive grade (per Infineon part page, AEC-Q101 expected for the family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin