IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUTN12S5N017ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN10S5L280DATMA1 מאת Infineon ו IAUTN12S5N017ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUCN10S5L280DATMA1 IAUTN12S5N017ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
מארז PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-HSOF-8-1 (HSOF-8, surface mount)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (junction)
מספר פינים 8 —
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, by package)
סטטוס RoHS Compliant Compliant (per distributor listings)
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 120 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 314 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 1.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 2.5 V typical (range per datasheet)
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — per datasheet curve (typ. ~150 nC class)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Mounting Position — Kelvin source pin (pin 2) for high-frequency layouts
Qualification — Automotive grade (per Infineon part page, AEC-Q101 expected for the family)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר