IGLR70R270D2SXUMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IGLR70R270D2SXUMA1 tarafından Infineon ve ISC011N04NM7VATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IGLR70R270D2SXUMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | Trench MOSFET, silicon |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| Paket | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40C to +150C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| MSL Seviyesi | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |