IPA60R190C6XKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPA60R190C6XKSA1 tarafından Infineon ve IPP60R180P7XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPA60R190C6XKSA1 | IPP60R180P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS C6 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 34 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C |
| Paket | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Tab Isolation | Fully isolated (4 kV) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Technology | — | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 72 W |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL Seviyesi | — | N/A (through-hole) |