IPA60R190C6XKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPA60R190C6XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPP60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPA60R190C6XKSA1 | IPP60R180P7XKSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS C6 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 34 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C |
| پیکیج | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| Tab Isolation | Fully isolated (4 kV) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Technology | — | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 72 W |
| پنز کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL لیول | — | N/A (through-hole) |