IPB35N10S3L26ATMA2 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB35N10S3L26ATMA2 tarafından Infineon ve IAUCN10S5L110TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB35N10S3L26ATMA2 IAUCN10S5L110TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Power-Transistor —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 35 A —
Pulsed Dræn Akımı 180 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
RDS(on) (typical) 26.3 mOhm —
Paket PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Pin Sayısı 3 —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page classification) —
Series — OptiMOS 5
Technology — N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
MSL Seviyesi — MSL1 (260°C peak reflow)
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Extended Qualification

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin