IPB35N10S3L26ATMA2 vs IAUCN10S5L110TATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPB35N10S3L26ATMA2 توسط Infineon و IAUCN10S5L110TATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPB35N10S3L26ATMA2 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS Power-Transistor | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 35 A | — |
| جریان درین پالسی | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| RDS(on) (typical) | 26.3 mOhm | — |
| بسته‌بندی | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | — |
| تعداد پین‌ها | 3 | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page classification) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Technology | — | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| سطح MSL | — | MSL1 (260°C peak reflow) |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Extended Qualification |