IPB35N10S3L26ATMA2 vs IAUCN10S5L110TATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB35N10S3L26ATMA2 بذریعہ Infineon اور IAUCN10S5L110TATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB35N10S3L26ATMA2 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS Power-Transistor | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 35 A | — |
| پلسڈ ڈرین کرنٹ | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| RDS(on) (typical) | 26.3 mOhm | — |
| پیکیج | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| پنز کی تعداد | 3 | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page classification) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Technology | — | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| MSL لیول | — | MSL1 (260°C peak reflow) |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Extended Qualification |