IPB60R280P7ATMA1 vs IAUA210N10S5N024AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB60R280P7ATMA1 tarafından Infineon ve IAUA210N10S5N024AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB60R280P7ATMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $0,88 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) OptiMOS 5
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) MOSFET (Metal Oxide), N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (2 + Tab) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (T_j max) -55°C to +175°C (TJ)
Configuration Single N-Channel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Charge Qg (typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 238 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin