IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPB180P04P4L02ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N08S2L21ATMA1 tarafından Infineon ve IPB180P04P4L02ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N08S2L21ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS OptiMOS-P2
Transistor Türü N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V 26 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (L series) —
Gate Charge (Qg) typ 56 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55 C to +175 C (junction)
Maximum Junction Temperature +175C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Drain tab + Gate + Source) 7 (6 + tab)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Durumu Compliant Compliant (per Infineon product page)
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
On-State Resistance RDS(on) max — 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Tab Connection — Drain

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin