IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPB180P04P4L02ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N08S2L21ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB180P04P4L02ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 - 40V P-Channel 180A OptiMOS-P2 MOSFET | Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD30N08S2L21ATMA1 | IPB180P04P4L02ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | OptiMOS-P2 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | P-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | 26 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (L series) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 56 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | -55 C to +175 C (junction) |
| Maximum Junction Temperature | +175C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Drain tab + Gate + Source) | 7 (6 + tab) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Tab Connection | — | Drain |