IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD600N25N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R1K0PFD7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD600N25N3GATMA1 | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | OptiMOS 3 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 25 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 60 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Eşik Voltage | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) |
| Montaj Türü | Surface Mount (Tape & Reel) | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Klorürsüz | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4.7 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 26 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1 Ω @ VGS=10V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | ±20 V (max gate-source) |
| Gate Charge (QG) | — | 6 nC @ VGS=10V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 230 pF @ 400 V |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (full enhancement) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Series | — | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction |